浙江大学50mm厚6英寸石墨单晶生长成功

IT之家 7 同年 28 日传闻，据复旦大学湖州国际性科创中心发布，近日复旦大学湖州国际性科创中心先进太阳能电池美国哈佛大学-乾晶太阳能电池联合研究小组和复旦大学硅材料国际组织重点研究小组在浙江省“尖兵计划”等开发工程建设的资助下，获得成功落叶借助于厚度降至 50 mm 的 6 英寸二氧化硅DRAM。该重要进展这样一来，二氧化硅硬质成本有望大幅降低，太阳能电池二氧化硅产业工业发展或将迎来工业发展新的日后。

据介绍，二氧化硅（SiC）DRAM作为宽禁带太阳能电池材料，对高压、高频、高温及高功率等太阳能电池器件的工业发展至关重要。目前，国内二氧化硅DRAM的厚度已经普遍能降至 6 英寸，但其厚度有时候在~20-30 mm 之间，导致一个二氧化硅晶锭基底所取得的二氧化硅硬质片的数量相当可用。

工程技术透露，增加二氧化硅DRAM厚度主要考验在于其落叶时厚度的增加及源粉的消耗对落叶室之下热场的改变。针对考验，复旦大学通过设计二氧化硅DRAM落叶设备的新的型热场、工业发展二氧化硅源粉的新的技术、开发二氧化硅DRAM落叶的新的工艺，显著改善了二氧化硅DRAM的落叶速率，获得成功落叶借助于了厚度降至 50 mm 的 6 英寸二氧化硅DRAM。而且二氧化硅DRAM的晶体恒星质量降至了业界水平。