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三星宣布3纳米GAA架构晶圆技术芯片开始生产

2024-12-26   来源 : 情感

据界面新闻报道,6月初30日消息,三星电子(SSNGY)今日宣布,基于3纳米(nm)全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)晶圆技艺终端的微处理器已经开始初步生产。

3nm GAA应用使用了更宽通的纳米片,与使用宽大通道纳米线的GAA应用相比能提供更高的耐用性和能量消耗比。

与三星5nm技艺相比,第一代3nm技艺可以使功耗减小45%,耐用性提升23%,微处理器范围增大16%;而未来第二代3nm技艺则使功耗减小50%,耐用性提升30%,微处理器范围增大35%。

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